レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003348162
Publication number (International publication number)：2005114968
Application date： Oct. 07, 2003
Publication date： Apr. 28, 2005
Summary：

【解決手段】ヒドロキシ基の水素原子が部分的に酸不安定基で置換されたヒドロキシスチレン、ヒドロキシビニルナフタレン又はヒドロキシビニルアントラセンを繰り返し単位として有する重合体であって、重合体の片末端又は両末端の繰り返し単位において、そのヒドロキシ基の水素原子が酸不安定基で選択的に置換されている重合体を添加してなることを特徴とするレジスト材料。【効果】本発明のレジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、その上、特に優れたエッチング耐性を示し、特に超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適な化学増幅型レジスト材料等のレジスト材料を与えることが可能である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

ヒドロキシ基の水素原子が部分的に酸不安定基で置換されたヒドロキシスチレン、ヒドロキシビニルナフタレン又はヒドロキシビニルアントラセンを繰り返し単位として有する重合体であって、重合体の片末端又は両末端の繰り返し単位において、そのヒドロキシ基の水素原子が酸不安定基で選択的に置換されている重合体を添加してなることを特徴とするレジスト材料。

IPC (3)：

G03F7/039 , C08F12/02 , G03F7/033

FI (3)：

G03F7/039 601 , C08F12/02 , G03F7/033

F-Term (36)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA04 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB16 , 2H025CB17 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J100AB00Q , 4J100AB07P , 4J100BA03P , 4J100BA04P , 4J100BA14P , 4J100BA20P , 4J100BC03P , 4J100BC04P , 4J100BC07P , 4J100BC08P , 4J100BC42P , 4J100BC53P , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100FA04 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (12)

特公平2-27660号公報
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-341513 Applicant：信越化学工業株式会社
新規ポリマー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-035572 Applicant：和光純薬工業株式会社

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Cited by examiner (7)

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-341513 Applicant：信越化学工業株式会社
ポリスチレン系高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料並びにパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-299178 Applicant：信越化学工業株式会社
感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-347331 Applicant：ジェイエスアール株式会社

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