Pat

J-GLOBAL ID：200903061356879303

半導体パッケージ

Inventor： 川上 洋司
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 半田 昌男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993294357
Publication number (International publication number)：1995130914
Application date： Oct. 29, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 簡易な構成により基板への接合性を向上させることができる半導体パッケージを提供する。【構成】 半導体素子11と、半導体素子11が発生する熱を放射する放熱器16と、半導体素子11と基板とを電気的に接続するリード132とをパッケージ用の樹脂17により封止した半導体パッケージ1において、放熱器16の一方の面は前記半導体素子11の裏面に接し、放熱器16の他方の面はパッケージ用の樹脂17の下端面17aよりも突出した状態で露出するとともに周端に段差16aが形成された、頂面が平面状の露出部16bを備える。

Claim (excerpt)：

半導体素子と、前記半導体素子が発生する熱を放射する放熱器と、外部との電気的接続を行うためのリードとをパッケージ用の樹脂により封止した半導体パッケージにおいて、前記放熱器の一方の面は前記半導体素子の裏面に接し、前記放熱器の他方の面は前記パッケージ用の樹脂の下端面よりも突出した状態で露出するとともに周端に段差が形成された、頂面が平面状の露出部を備えることを特徴とする半導体パッケージ。

IPC (2)：

H01L 23/28 ,  H01L 23/29