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J-GLOBAL ID：200903061366458560

熱処理方法及び熱処理装置並びに処理装置

Inventor： 飽本 正巳 ,  坂本 泰大 ,  原田 浩二
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン九州株式会社
Agent (1)： 中本 菊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995273757
Publication number (International publication number)：1996162405
Application date： Sep. 28, 1995
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】【課題】 被処理体の加熱・冷却処理時間の短縮化、被処理体の面内温度分布の均一化及び製品歩留まりの向上を図ること。【解決手段】 半導体ウエハWを載置する載置台24にヒータ23を埋設して、半導体ウエハWを所定温度に加熱可能に形成する。載置台24の外方に、載置台24を包囲すべくシャッタ26を、載置台24と相対移動可能に形成する。半導体ウエハWを載置台24上及び載置台24の上方位置に移動する支持ピン32を設け、この支持ピン32にて支持されて載置台24の上方位置におかれる半導体ウエハWに向かって進退移動可能な冷却温度調整体40を設ける。これにより、載置台24上で加熱処理された半導体ウエハWを支持ピン32にて載置台24の上方位置に移動した後、冷却温度調整体40を半導体ウエハWに向かって移動して、半導体ウエハWを所定の温度に冷却温調することができる。

Claim (excerpt)：

被処理体を加熱手段上に載置して所定温度に加熱する工程と、加熱処理後、上記被処理体を上記加熱手段の上方位置に移動する工程と、上記被処理体に向かって移動する冷却温度調整手段にて被処理体を所定温度に冷却する工程と、を有することを特徴とする熱処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/027 ,  F25D 1/00 ,  F25D 9/00 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/324

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-291419
  
• 特開昭63-127533
  
• 特開昭61-156814
  
• 特開平2-073619