Pat

J-GLOBAL ID：200903061384272520

半導体メモリ装置

Inventor： 井上 哲彦
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992094160
Publication number (International publication number)：1993290586
Application date： Apr. 14, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 メモリの書き換え時に、データの消去、書き込みを同時に行なうことで、所要時間を短かくしたメモリ装置を得る。【構成】 メモリに記憶されているデータと書き込むべき入力データとを比較する比較手段5と、この比較手段5の結果出力によりメモリのデータを書き換えるか消去するを定め、書き込みステップ上記メモリのデータの書き込みまたは消去を制御する制御回路6を備えた。

Claim (excerpt)：

メモリに記憶されているデータと書き込むべき入力データとを比較する比較手段と、上記比較手段の結果出力により上記メモリのデータを書き換えるか消去するを定め、書き込みステップで上記メモリのデータの書き込みまたは消去を制御する制御回路を備えた半導体メモリ装置。

IPC (4)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2)：

G11C 17/00 309 A ,  H01L 29/78 371