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J-GLOBAL ID：200903061398692661

スパッタリング薄膜形成用純Tiターゲット

Inventor： 三島 昭史 ,  石井 利昇
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 富田 和夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994097980
Publication number (International publication number)：1995278804
Application date： Apr. 12, 1994
Publication date： Oct. 24, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高出力スパッタリングに適用できる純Tiターゲットを提供する。【構成】 純度:99.99%以上、平均結晶粒径:800μm以下の高純度Tiターゲット本体と、上記高純度Tiターゲット本体よりも純度の低いTiからなるバッキングプレートを接合してなり、上記高純度Tiターゲット本体は再結晶組織を有し、上記バッキングプレートは高純度Tiターゲット本体の粒径よりも微細な再結晶組織または加工組織を有するスパッタリング薄膜形成用純Tiターゲット。

Claim (excerpt)：

平均結晶粒径:800μm以下の高純度Tiターゲット本体と、上記高純度Tiターゲット本体よりも純度の低いTiからなるバッキングプレートを接合してなることを特徴とするスパッタリング薄膜形成用純Tiターゲット。