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J-GLOBAL ID：200903061401031671

熱電装置

Inventor： 本間 運也
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： ▲角▼谷 浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006180778
Publication number (International publication number)：2008010704
Application date： Jun. 30, 2006
Publication date： Jan. 17, 2008
Summary：

【課題】小型化・高集積化を実現するとともに、その信頼性を高めることを可能とする熱電装置を提供する。【解決手段】SOI基板4の表面の単結晶シリコン層3に短冊状のN型不純物領域3aおよびP型不純物領域3bが交互に複数形成される。N型およびP型不純物領域3a,3bを含む単結晶シリコン層3の上には絶縁層6が形成される。この絶縁層6には接続孔6aおよび配線溝6bからなるトレンチ溝が形成され、このトレンチ溝内に配線パターン7a,7bが形成される。N型およびP型不純物領域3a,3bの長手方向のそれぞれの一端が配線パターン7bを介して接続され、N型不純物領域3a(P型不純物領域3b)の他端は隣接する別のP型不純物領域3b(N型不純物領域3a)と配線パターン7aを介して接続される。N型およびP型不純物領域3a,3bの他端側(配線パターン7a側)には絶縁層6の上面から凹状の開口部9aが形成される。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に短冊状に設けられたN型部材およびP型部材と、 前記N型部材および前記P型部材を含む前記半導体基板の上に設けられた絶縁層と、 を備え、 前記N型部材および前記P型部材は長手方向のそれぞれの一端が接続され、 前記N型部材および前記P型部材の他端側に冷却手段が設けられている熱電装置。

IPC (3)：

H01L 35/32 ,  H01L 35/34 ,  H02N 3/00

FI (3)：

H01L35/32 A ,  H01L35/34 ,  H02N3/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 熱電発電デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-257116   Applicant：松下電器産業株式会社