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J-GLOBAL ID：200903061405560180
高融点金属層のCVD方法およびそのCVD装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994062805
Publication number (International publication number)：1995273046
Application date： Mar. 31, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：
【要約】【目的】 ブランケットCVDにより、W等高融点金属層を接続孔内に埋め込む際のボイドを防ぎ、表面モホロジを改善するCVD方法および装置を提供する。【構成】 接続孔3を含む被処理基板上全面に1×1011〜1×1013/cm3の高密度プラズマCVD装置により、基板バイアスを印加しながら高融点金属層6を堆積する。プラズマCVD前に、同一チャンバ内で希ガスによるスパッタ前処理を施しTi層4とTiN層5のオーバーハング部分の形状修正を行ってから高融点金属層6を堆積してもよい。【効果】 ソースガスは反応性の高い活性種となるのでWの成長核が均一に形成され、高アスペクト比の接続孔内部でも成長速度が均一となり、ボイド発生は防止される。また表面マイグレーション効果を利用して平滑な表面を形成できる。
Claim (excerpt)：
被処理基板にRFバイアスを印加しつつ、プラズマCVD法により高融点金属層を形成することを特徴とする、高融点金属層のCVD方法。
IPC (3)：
H01L 21/205
, H01L 21/285 301
, H01L 21/768
Cited by examiner (8)
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