Pat
J-GLOBAL ID：200903061424933656
薄膜多結晶シリコン及びこれを用いた光起電力素子の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994034767
Publication number (International publication number)：1995245422
Application date： Mar. 04, 1994
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：
【要約】【目的】 支持基板上に形成される薄膜多結晶シリコンの膜内残留歪みを軽減することにより、膜中の欠陥密度を低減することにある。【構成】 支持基板(1)と、多結晶シリコン(3)’の出発材料となる非晶質シリコン膜(3)との間に、歪み緩和のための、金属又は金属塩(2)を介挿入せしめたことにある。
Claim (excerpt)：
支持基板の表面上に、非晶質シリコン膜の結晶化温度以下で溶融された金属又は金属塩と、熱処理により多結晶化された上記非晶質シリコン膜とが、積層されて成る薄膜多結晶シリコン。
IPC (3)：
H01L 31/04
, H01L 21/205
, H01L 31/0248
H01L 31/04 A
, H01L 31/04 X
, H01L 31/08 G
