Pat

J-GLOBAL ID：200903061427319002

半導体装置の実装方法及びその実装構造、並びに半導体装置及びその製造方法

Inventor： 沢田 浩一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 逢坂 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001225328
Publication number (International publication number)：2003037222
Application date： Jul. 26, 2001
Publication date： Feb. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】 熱膨張によって部材が変形することなく、接続部の良好な電気特性が得られる半導体装置の実装方法及びその実装構造、並びに半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 モールド樹脂9に水等の液体を内包したカプセル19を混入し、このモールド樹脂9を用い、中間基板10に固定した半導体チップ4を含む中間基板10の上面を樹脂封止して半導体装置3を形成する。これにより、この半導体装置3をマザー基板2に実装する際のリフローによる加熱時にも、各部材の線膨張係数の差による反りがモールド樹脂9内の気孔21によって緩和され、反りに伴う接合部の破壊を抑制することができる。

Claim (excerpt)：

半導体チップが封止材によって封止された半導体装置において、前記封止材の少なくとも内部に気孔又は空洞が形成されていることを特徴とする、半導体装置。

IPC (4)：

H01L 23/29 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/12 501 ,  H01L 23/31

FI (3)：

H01L 21/56 T ,  H01L 23/12 501 W ,  H01L 23/30 R

F-Term (13)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA21 ,  4M109EA02 ,  4M109EB18 ,  4M109EC04 ,  4M109ED03 ,  4M109GA10 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA21 ,  5F061DE03 ,  5F061FA06