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J-GLOBAL ID:200903061438679361
多結晶性シリコンを含む太陽電池およびP-型多結晶性シリコンの表面の組織化方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
川口 義雄 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996302004
Publication number (International publication number):1997167850
Application date: Nov. 13, 1996
Publication date: Jun. 24, 1997
Summary:
【要約】【課題】 改善された光-電流変換効率を有する太陽電池を提供すること。【解決手段】 多結晶性シリコンまたはその合金を含み、光線を受け入れるべき表面を有する太陽電池であって、該電池のシリコン表面が、深さ0.10μm 〜10μm 、直径 0.1μm 〜10μm の穴を多数含み、深さと直径との比が1より大きく、穴の占める面積がシリコン表面の面積の半分より大きいことを特徴とする太陽電池。
Claim (excerpt):
多結晶性シリコンまたはその合金を含み、光線を受け入れるべき表面を有する太陽電池であって、該電池のシリコン表面が、深さ0.10μm 〜10μm 、直径 0.1μm 〜10μm で深さと直径との比が1より大きいピット状の穴を多数含み、穴の占める面積がシリコン表面の面積の半分より大きいことを特徴とする太陽電池。
FI (2):
H01L 31/04 A
, H01L 31/04 F
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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