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J-GLOBAL ID:200903061438785676

イオンビーム発生装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 明田 莞
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997129747
Publication number (International publication number):1998321175
Application date: May. 20, 1997
Publication date: Dec. 04, 1998
Summary:
【要約】【課題】 基板の大きさに応じてイオンビームの照射面積を変えることが可能で、イオンビームの照射処理を効果的に行い得るイオンビーム発生装置の提供。【解決手段】 イオン発生部1で発生したパルス的イオンを加速電極2により加速してイオンビームを発生して基板4に照射するイオンビーム発生装置において、イオンの流れを阻止するシャッタ5を、加速電極2のイオン流入側近傍個所に、加速電極一部領域を覆い・開放し得る2位置開閉動可能に、又はさらに面積可変に覆い得る無段階開閉動可能に設ける。また、パルス的イオンのパルス間隔又は/及びパルス長をシャツタ5の開閉に連動して大小調節するパルス制御手段がイオン発生部1に関連して設けられる。
Claim (excerpt):
イオン発生部でパルス的なイオンを繰り返し発生し、このイオンを多孔構造またはスリット構造のグリッドで構成される加速電極により加速してイオンビームを発生して基板に照射するイオンビーム発生装置において、イオンの流れを阻止するためのシャッタが、前記加速電極に対しイオン流入側の近傍個所に、加速電極の一部領域を覆いまたは開放し得る開閉動可能に設けられてなることを特徴とするイオンビーム発生装置。
IPC (3):
H01J 37/08 ,  H01J 27/02 ,  H01J 37/09
FI (3):
H01J 37/08 ,  H01J 27/02 ,  H01J 37/09 Z

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