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J-GLOBAL ID:200903061443984229

脱酸素剤及び脱酸素剤の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 羽鳥 修 ,  松嶋 善之
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008317412
Publication number (International publication number):2009078271
Application date: Dec. 12, 2008
Publication date: Apr. 16, 2009
Summary:
【課題】 ハンドリング時間を長くすることができる脱酸素剤及び脱酸素剤の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 本発明に係る脱酸素剤は、雰囲気中の酸素を吸収除去する脱酸素剤であって、前記脱酸素剤が酸素欠損による酸素吸収サイトを有する無機酸化物であると共に、前記酸素吸収サイトの少なくとも一部を、サイト閉塞因子体(例えばカルボニル基である二酸化炭素)により一時的に閉塞してなるものであり、脱酸素剤として機能するまでのハンドリング時間が向上する。脱酸素剤は、無機酸化物粉末を500°C以上で還元焼成して酸素を強制的に引き抜き、可逆的な酸素欠損による酸素吸収サイトを形成し、その後酸素吸収サイトの少なくとも一部をサイト閉塞因子体により脱離可能に閉塞することで好適に製造される。【選択図】 図3
Claim (excerpt):
生活環境雰囲気中の酸素を吸収除去する脱酸素剤であって、 前記脱酸素剤が、酸素の強制的な引き抜きによって生じた可逆的な酸素欠損による酸素吸収サイトを有する無機酸化物であると共に、 前記酸素吸収サイトの少なくとも一部を、サイト閉塞因子体により脱離可能に閉塞してなることを特徴とする脱酸素剤。
IPC (7):
B01J 20/06 ,  B01D 53/14 ,  C01F 17/00 ,  C01G 9/02 ,  C01G 23/047 ,  B32B 27/18 ,  A23L 3/343
FI (8):
B01J20/06 A ,  B01D53/14 B ,  B01J20/06 C ,  C01F17/00 A ,  C01G9/02 A ,  C01G23/047 ,  B32B27/18 G ,  A23L3/3436
F-Term (71):
4B021MC04 ,  4B021MK08 ,  4B021MK19 ,  4B021MP07 ,  4D020AA02 ,  4D020BA03 ,  4D020BA08 ,  4D020BB01 ,  4D020CA02 ,  4D020CA04 ,  4F100AA18B ,  4F100AA21B ,  4F100AA25B ,  4F100AA33B ,  4F100AB10A ,  4F100AK01A ,  4F100AK01B ,  4F100AK01C ,  4F100AK01D ,  4F100AK04B ,  4F100AK04C ,  4F100AK07B ,  4F100AK16A ,  4F100AK21A ,  4F100AK42A ,  4F100AK42C ,  4F100AK46C ,  4F100AK62B ,  4F100AK69A ,  4F100CA09B ,  4F100CA09K ,  4F100EJ91C ,  4F100GB23 ,  4F100JD02A ,  4F100JD02D ,  4G047AA02 ,  4G047AB04 ,  4G047AC03 ,  4G047AD03 ,  4G047CA02 ,  4G047CC03 ,  4G047CD03 ,  4G066AA02B ,  4G066AA06D ,  4G066AA10D ,  4G066AA12B ,  4G066AA18B ,  4G066AA21D ,  4G066AA23B ,  4G066AA43D ,  4G066AB05D ,  4G066AB07D ,  4G066AB13D ,  4G066BA03 ,  4G066BA05 ,  4G066BA13 ,  4G066BA36 ,  4G066BA38 ,  4G066CA37 ,  4G066DA03 ,  4G066EA07 ,  4G066FA17 ,  4G066FA22 ,  4G066FA27 ,  4G066FA34 ,  4G066FA37 ,  4G076AA02 ,  4G076AB07 ,  4G076BA14 ,  4G076BA40 ,  4G076DA25
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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