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J-GLOBAL ID：200903061448477341

ウェーハ加工方法及びその装置

Inventor： 稲葉 高男 ,  沼本 実
Applicant, Patent owner： 株式会社東京精密
Agent (1)： 松浦 憲三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998296945
Publication number (International publication number)：2000124172
Application date： Oct. 19, 1998
Publication date： Apr. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体ウェーハを円滑に連続して研磨することができるウェーハ加工方法及びその装置を提供する。【解決手段】本発明のウェーハ加工装置10は、ウェーハ28を加工するために必要なカセット設置部14、アライナ16、ロードステージ18、ウェーハ研磨部20、アンロードステージ22、洗浄乾燥部24を設置し、そして、これらを搬送用ロボット等によってインラインで接続し、このラインに沿ってウェーハ28を無駄なく効率良く流して加工する。また、ウェーハ研磨部20には、第1の研磨定盤136Aと第2の研磨定盤136Bとが並設され、酸化膜を研磨するウェーハ28の場合には第1の研磨定盤136Aのみで研磨し、金属膜を研磨するウェーハ28の場合には、第1の研磨定盤136Aで1次研磨した後、第2の研磨定盤136Bで2次研磨する。

Claim (excerpt)：

加工前のウェーハが収納されたカセットが設置されるカセット設置部と、加工前のウェーハを所定の位置に位置決めする位置決め部と、加工前のウェーハを受け取り一時ストックするロードステージと、ウェーハに形成された酸化膜を研磨すると共に、ウェーハに形成された金属膜を1次研磨する第1の研磨定盤と、ウェーハに形成された金属膜を2次研磨する第2の研磨定盤と、研磨後のウェーハを受け取り一時ストックするアンロードステージと、前記ロードステージにストックされた加工前のウェーハを保持し、該ウェーハを前記第1の研磨定盤、第2の研磨定盤に押し付けて研磨すると共に、研磨後のウェーハを前記アンロードステージに排出するチャックと、研磨後のウェーハを洗浄し乾燥する洗浄乾燥部とを備え、前記カセット設置部に設置された前記カセットからウェーハを取り出して、該ウェーハを位置決め部で位置決めし、該位置決めされたウェーハをロードステージに受け渡して一時ストックし、該ストックされたウェーハが酸化膜を研磨するウェーハの場合には、該ウェーハを前記チャックで保持し、前記第1の研磨定盤に押し付けて酸化膜を研磨し、一方、ストックされたウェーハが金属膜を研磨するウェーハの場合には、該ウェーハを前記チャックで保持し、第1の研磨定盤に押し付けて金属膜を1次研磨した後、該ウェーハを前記第2の研磨定盤に押し付けて金属膜を2次研磨し、研磨終了したウェーハを前記チャックから前記アンロードステージに排出してアンロードステージで一時ストックし、該アンロードステージでストックされたウェーハを前記洗浄乾燥部に搬送して洗浄/乾燥し、該洗浄/乾燥終了したウェーハを前記カセットに搬送して収納するようにしたことを特徴とするウェーハ加工方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 651

FI (3)：

H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 P ,  H01L 21/304 651 Z