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J-GLOBAL ID：200903061454769362

液晶デイスプレイ用半導体装置の製造方法

Inventor： 山本 正剛 ,  大西 隆
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 金丸 章一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991263952
Publication number (International publication number)：1993100248
Application date： Oct. 11, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【構成】 薄膜状の配線を備えた液晶ディスプレイ用半導体装置を製造するに際し、合金成分としてTa、Ti、Zrの中の1種又は2種以上を総量で 0.1〜10at%含有するAl基合金により薄膜状の配線を形成し、且つ、この配線のパターニング工程の前または後に配線の熱処理を250 〜500 °Cの温度で行う。【効果】 配線のヒロック及びボイド等の不具合を生じることなく、比抵抗:20μΩcm以下の配線抵抗が小さい液晶ディスプレイ用半導体装置を製造し得る。

Claim (excerpt)：

半導体装置の基板上に薄膜状の配線をスパッタリング等の物理蒸着法により形成する工程と、前記配線をパターニングする工程と、該パターニング工程の前または後に前記配線を熱処理する工程とを含む製造工程により、薄膜状の配線を備えた液晶ディスプレイ用半導体装置を製造するに際し、前記薄膜状の配線を合金成分としてTa、Ti、Zrの中の1種又は2種以上を総量で 0.1〜10at%含有するAl基合金により形成し、且つ、前記配線の熱処理を250 〜500 °Cの温度で行うことを特徴とする液晶ディスプレイ用半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 21/88 N ,  H01L 29/78 311 A