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J-GLOBAL ID：200903061456154934

アレイ型半導体レーザ装置

Inventor： 渡辺 斉
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994174369
Publication number (International publication number)：1996046279
Application date： Jul. 26, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 レーザ素子を電気的に直列に接続することで、大電流を供給せずとも高出力を達成するアレイ型半導体レーザ装置を得ることを目的とする。【構成】 メサ型半導体レーザ素子間には、底部がFeドープ半絶縁性InP層4の表面に達する溝Lが設けられ、溝Lによって各々のメサ型半導体レーザ素子が分離され電気的に絶縁される構成となっている。【効果】 複数の半導体レーザ素をそれぞれ電気的に独立した素子とし、複数の半導体レーザ素子を電気的に直列に接続することができるので、大電流を供給せずとも高出力を達成するアレイ型半導体レーザ装置を得ることができる。

Claim (excerpt)：

共通の基板上に活性層を含む半導体層を積層して形成された複数の半導体レーザ素子を列状に配列して構成されるアレイ型半導体レーザ装置において、前記基板を、前記半導体レーザ素子の電流を前記半導体レーザ素子との接触面で遮る基板とし、前記列状の複数の半導体レーザ素子をそれぞれの隣接部分において電気的に絶縁する絶縁手段と、前記複数の半導体レーザ素子を電気的に直列に接続する接続手段とを備えたことを特徴とするアレイ型半導体レーザ装置。