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J-GLOBAL ID：200903061456924497

電界放射型電子源

Inventor： 櫟原 勉 ,  菰田 卓哉 ,  相澤 浩一
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 西川 惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000226059
Publication number (International publication number)：2001101967
Application date： Jul. 26, 2000
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：

【要約】【課題】低コストかつ経時安定性に優れた電界放射型電子源を提供する。【解決手段】導電性基板たるn形シリコン基板1の主表面側に酸化された多孔質多結晶シリコンよりなる強電界ドリフト部6が形成され、強電界ドリフト部6上に表面電極7が形成されている。n形シリコン基板1から強電界ドリフト部6に注入された電子は、強電界ドリフト部6内を表面に向かってドリフトし表面電極7をトンネルして放出される。表面電極7は、二層の薄膜電極層7b,7aからなり、最上層の薄膜電極層7aは、放出される電子のエネルギ近傍の状態密度が低い性質を有し、最下層の薄膜電極層7bは、放出される電子のエネルギ近傍の状態密度が低く且つ強電界ドリフト部6との密着性が良い性質を有する。また、薄膜電極層7bは、薄膜電極層7aから強電界ドリフト部6への拡散を防止する機能を有する。

Claim (excerpt)：

導電性基板と、導電性基板の一表面側に形成された多孔質材料よりなる強電界ドリフト部と、該強電界ドリフト部上に形成された導電性薄膜よりなる表面電極とを備え、表面電極を導電性基板に対して正極として電圧を印加することにより導電性基板から注入された電子が強電界ドリフト部をドリフトし表面電極を通して放出される電界放射型電子源であって、強電界ドリフト部は、少なくとも、導電性基板の上記一表面側に形成された柱状の半導体結晶と、半導体結晶間に介在するナノメータオーダの微結晶半導体層と、微結晶半導体層の表面に形成され当該微結晶半導体層の結晶粒径よりも小さな膜厚の絶縁膜とからなり、表面電極は、放出される電子のエネルギ近傍の状態密度が低くかつ強電界ドリフト部との密着性が良い性質を有することを特徴とする電解放射型電子源。

IPC (4)：

H01J 1/312 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12

FI (4)：

H01J 9/02 M ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 1/30 M