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J-GLOBAL ID：200903061478146676

多結晶シリコン膜の形成方法および薄膜トランジスタの製造方法

Inventor：
岩崎 康範

About 岩崎 康範


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995084373
Publication number (International publication number)：1996288515
Application date： Apr. 10, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：
【要約】【目的】 絶縁性基板上に結晶粒界の位置を制御すると共に個々の結晶粒の配向性を揃えて大粒径の多結晶シリコン膜を形成し、チャネル領域の電流経路に結晶粒界が殆ど存在しないTFTを再現性良く製造する。【構成】 段差2が形成された絶縁性基板1上に第1の非晶質シリコン膜3を形成し熱処理すると、段差側面7に対し垂直方向に配向性の揃った第1の多結晶シリコン膜4が得られる。これを段差の上の部分を含む領域を残しパターニングする。その上に第2の非晶質シリコン膜8を形成し、第1の多結晶シリコン膜4をシードとして固相結晶化すると、配向性と結晶粒界の位置とが制御された大粒径の第2の多結晶シリコン膜9が得られる。段差の側面に対して垂直な方向が電流経路となるようにチャネル領域12iを形成すると、電流経路とエピタキシャル成長方向とが一致する。
Claim (excerpt)：
絶縁性基板の表面に段差を形成する工程と、該段差を有する基板上に第1の非晶質シリコン膜を形成する工程と、該第1の非晶質シリコン膜に熱処理を施して第1の多結晶シリコン膜とする工程と、該段差部分を含む領域を残して該第1の多結晶シリコン膜をパターニングする工程と、パターニングされた第1の多結晶シリコン膜の上に第2の非晶質シリコン膜を形成する工程と、熱処理を施すことにより、該第1の多結晶シリコン膜の表面をシードとして第2の非晶質シリコン膜を多結晶化して第2の多結晶シリコン膜とする工程とを含む多結晶シリコン膜の形成方法。
IPC (4)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12
FI (4)：
H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 P ,  H01L 29/78 616 T
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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