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J-GLOBAL ID：200903061487204166

プラズマ処理装置及びその制御方法

Inventor： 内藤 幸男 ,  土屋 浩 ,  深澤 義男 ,  望月 修二
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン山梨株式会社
Agent (1)： 亀谷 美明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994330240
Publication number (International publication number)：1996162293
Application date： Dec. 05, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】 チャージアップダメージの少ないプラズマの点火及び停止が可能なプラズマ処理装置及びその制御方法を提供する。【構成】 処理室(2)内に配置され被処理体が載置される下部電極(4)と、その下部電極に対向する位置に配置される上部電極(21)と、両電極に高周波電力をそれぞれ独立に印加するための高周波発振器とを備えたプラズマ処理装置は、プラズマ発生時は一方の高周波発振器をオンにしてプラズマを点火させた後に他方をオンにするように制御され、プラズマ停止時は一方をオフにした後に他方をオフにするように、あるいは両高周波発振器の総出力を段階的に減少させるように制御される。

Claim (excerpt)：

処理室内に配置され被処理体が載置される下部電極と、前記処理室内において前記下部電極に対向する位置に配置される上部電極と、前記上部電極に高周波電力を印加する第1高周波発振器と、前記下部電極に高周波電力を印加する第2高周波発振器とを備えたプラズマ処理装置において、前記第1高周波発振器及び前記第2高周波発振器のオンオフタイミングを制御するためのタイミング制御器、及び前記第1高周波発振器及び前記第2高周波発振器の出力を段階的に制御するための出力制御器を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065