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J-GLOBAL ID：200903061506826807

深-UV、I-線またはE-ビームリソグラフ用の新規シリコン含有ネガレジスト

Inventor： ジヤガンナータン・プレムラータ ,  ハルバンス・エス・サクデヴ ,  ラトナム・ソーリヤクマーラン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993159869
Publication number (International publication number)：1994095385
Application date： Jun. 30, 1993
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【効果】 この新規ホトレジストは容易に合成されそして水性塩基現像性、すぐれたO2RIE抵抗、およびDUV、I-線およびE-ビーム露光への高い感光度などの利点を有している。【構成】 ポリ(4-ヒドロキシベンジル)シルセスキオキサンポリマー骨格;および前記ポリ(4-ヒドロキシベンジル)シルセスキオキサンポリマー骨格のフェノール基に共有結合した芳香族アジド含有基からなるホトレジスト。

Claim (excerpt)：

ポリ(4-ヒドロキシベンジル)シルセスキオキサンポリマー骨格;および前記ポリ(4-ヒドロキシベンジル)シルセスキオキサンポリマー骨格のフェノール基に共有結合した芳香族アジド含有基からなるホトレジスト。

IPC (6)：

G03F 7/038 505 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/012 501 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-301943
  
• 特開昭63-040142
  
• 特開昭61-144639
  
• 特開昭61-020030