Pat
J-GLOBAL ID：200903061506904611

レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

Inventor：
畠山 潤

About 畠山 潤


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004334951
Publication number (International publication number)：2006145775
Application date： Nov. 18, 2004
Publication date： Jun. 08, 2006
Summary：
【課題】架橋効率が高く、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、また、現像時の膨潤が小さいためパターン崩壊やラインエッジラフネスが低減される、特に超LSI製造用あるいはフォトマスクパターン作成における微細パターン形成材料として好適なレジスト材料を提供する。【解決手段】 少なくとも、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物を含むものであることを特徴とする化学増幅型ネガ型レジスト材料。 【化45】【選択図】なし
Claim (excerpt)：
少なくとも、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物を含むものであることを特徴とする化学増幅型ネガ型レジスト材料。
IPC (4)：
G03F 7/038 ,  C08F 220/26 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/027
FI (4)：
G03F7/038 601 ,  C08F220/26 ,  G03F7/033 ,  H01L21/30 502R
F-Term (29)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025CB13 ,  2H025CB14 ,  2H025CB45 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AJ02P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03R ,  4J100BB18R ,  4J100BC04R ,  4J100BC08R ,  4J100BC09Q ,  4J100BC52Q ,  4J100BC53Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
Show all
Cited by examiner (7)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM