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J-GLOBAL ID：200903061524801609

結晶質固溶体粉末の製造方法、インジウム-錫-酸化物の結晶質固溶体粉末、ITOスパッタリングターゲット及びITO被膜

Inventor： デイヴィッド フランシス ラプトン ,  イェルク シールケ ,  マーレク ゴリヴォダ ,  ベルナール セロレ ,  フリートホルト シェルツ
Applicant, Patent owner： ヴエー ツエー ヘレーウス ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998141285
Publication number (International publication number)：1999011946
Application date： May. 22, 1998
Publication date： Jan. 19, 1999
Summary：

【要約】【課題】 結晶質固溶体粉末の製造方法を提供する。【解決手段】 少なくとも2つの反応体をプラズマアーク内で反応させ、該反応生成物をプラズマ室の出口で高速ガス流で噴射冷却する。【効果】 第1反応体としてインジウム-錫合金及び第2反応体として酸素を使用すると、理論的密度の40%に圧縮した場合、約2Ωcmの電気抵抗率を有するITO結晶質固溶体粉末が得られ、このITO結晶質固溶体粉末は特に高い導電率、ひいては達成可能な高いスパッタリング速度を有するITOターゲットを製造するために好適である。

Claim (excerpt)：

反応体のための入口と、ガス供給装置を備えた出口とを有する溶融材料を得るためのプラズマ室のプラズマアーク内で少なくとも2つの反応体を反応させ、その際第1反応体として溶融金属合金及び第2反応体としてガスを使用することにより結晶質固溶体粉末を製造する方法において、第1反応体としてインジウム-錫合金及び第2反応体として酸素を使用し、かつ結晶質固溶体粉末が100Ωcm未満の電気抵抗率を有しており、その際プラズマアーク内で反応した材料をプラズマ室の出口で、300m/s〜500m/sの速度を有しかつ該材料を105K/s〜108K/sの範囲内の冷却速度で50°C〜400°Cの温度に冷却するガス流で噴射冷却して、酸化インジウムの結晶格子内にインジウム-錫-酸化物結晶質固溶体相少なくとも90容量%を含有する結晶質固溶体粉末を製造することを特徴とする、結晶質固溶体粉末の製造方法。

IPC (5)：

C01G 15/00 ,  B22F 1/00 ,  C01G 19/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34

FI (5)：

C01G 15/00 B ,  B22F 1/00 R ,  C01G 19/00 A ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/34 A