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J-GLOBAL ID：200903061549683287
プラズマ処理装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992290542
Publication number (International publication number)：1994140187
Application date： Oct. 28, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：
【要約】【目的】 下部電極の曲率を増大させても、ウエハの温度調節が安定し、ウエハ面内温度差が減少して歩留りが向上するプラズマ処理装置を提供すること。【構成】 ウエハ5を下部電極2上に載置し、クランプ板4でウエハ5を固定する。そして、反応室1を真空状態として、反応ガス導入口1a から反応ガスを導入し、上部電極, 下部電極間の高周波電界によりガス放電を行って、ウエハ5にエッチングを施す。このとき、前記温度調節ガス導入管1c から導入された不活性ガスを、温度調節ガス導入部2b から28個の冷却孔2a,2a ...を通じて下部電極2及びウエハ5間に封入する。下部電極2には前記孔部である冷却孔2a,2a ...が、半径方向に7個等間隔で形成され、この7個の冷却孔2a,2a ...が十字状に形成されて、計28個の冷却孔2a,2a ...が設けられており、前記温度調節ガス導入部2b に貫通している。不活性ガスは下部電極2の温度をウエハ5に伝導させる媒体となってウエハ5面内温度を均一に調節する。
Claim (excerpt)：
締結手段により平行電極の一方の電極の対向面側に試料を締結保持し、前記電極に設けられた孔部から、前記電極と前記試料との間にガスを導入して前記試料の温度調節を行い、プラズマ処理する装置において、前記孔部を前記電極の半径方向に複数設けてあることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3)：
H05H 1/46
, C23F 4/00
, H01L 21/302
