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J-GLOBAL ID：200903061550708625

混成集積回路の製造方法

Inventor： 六川 嘉信 ,  春原 秀康 ,  中川 祐一 ,  藤沢 和久
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 青木 朗 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992194072
Publication number (International publication number)：1994045476
Application date： Jul. 21, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は混成集積回路の製造方法に関し、大型モールドパッケージの混成集積回路を歩留り良く、且つ機能チェックが容易な混成集積回路の製造方法を実現することを目的とする。【構成】 所要の混成集積回路パターンを複数に分割し、その分割した各回路パターンをそれぞれセラミック基板12に厚膜または薄膜で形成する工程と、上記各セラミック基板12に半導体チップ、コンデンサ、抵抗などの部品18を搭載する工程と、上記複数個のセラミック基板12を1個のリードフレーム14に搭載する工程と、上記各基板間及び各基板12とリードフレームのリード17間をワイヤボンディングする工程と、上記各基板12及びリードフレーム14を樹脂21にてモールドする工程とより成るように構成する。

Claim (excerpt)：

所要の混成集積回路パターンを複数に分割し、その分割した各回路パターン(11)をそれぞれセラミック基板(12)に厚膜または薄膜で形成する工程と、上記各セラミック基板(12)に半導体チップ、コンデンサ、抵抗などの部品(18)を搭載する工程と、上記複数個のセラミック基板(12)を1個のリードフレーム(14)に搭載する工程と、上記各基板間及び各基板(12)とリードフレームのリード(17)間をワイヤボンディングする工程と、上記各基板(12)及びリードフレーム(14)を樹脂(21)にてモールドする工程、とより成ることを特徴とする混成集積回路の製造方法。

IPC (6)：

H01L 23/28 ,  H01L 23/12 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07

FI (3)：

H01L 23/12 H ,  H01L 25/04 Z ,  H01L 25/08 Z