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J-GLOBAL ID：200903061553849696

固体撮像装置、受光素子、並びに半導体の製造方法

Inventor： 成井 禎
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Agent (1)： 古谷 史旺 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999009442
Publication number (International publication number)：1999274465
Application date： Jan. 18, 1999
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、埋め込み型構造のホトダイオードを有する固体撮像装置,受光素子並びに、これらの製造方法に関し、短波長光の感度を高めることを目的とする。【解決手段】 第1導電型の半導体基体(11)と、半導体基体に複数形成され、光の入射により信号電荷を蓄積する第2導電型の蓄積層(12)と、蓄積層の上面に形成される第1導電型の表面層(13)と、信号転送手段(15,16,17)とを備え、表面層と蓄積層との接合深さXjを0.067〜0.2μmに調製する。このような構造により、短波長感度を格段に向上させることができる。また、完全空乏化状態において、空乏領域の表面深さを0.2〜0.3μmに調製する。このような構造では、短波長感度の向上と、暗電流ノイズの抑制とをバランス良く達成することができる。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基体と、前記半導体基体に複数形成され、光の入射により信号電荷を蓄積する第2導電型の蓄積層と、前記蓄積層の上面に形成される第1導電型の表面層と、前記蓄積層に蓄積された信号電荷を走査し、画像信号として外部へ出力する信号転送手段とを備え、前記表面層と前記蓄積層との接合深さXjが0.067〜0.2μmであることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/148 ,  H04N 5/335

FI (3)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 B