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J-GLOBAL ID：200903061564519906

MESFETを含む半導体装置およびその製造方法

Inventor： 中川 義和
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 古谷 栄男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992178417
Publication number (International publication number)：1994021100
Application date： Jul. 06, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 簡易な構造でかつ入出力特性の直線性がよく、飽和出力も高く、さらに雑音指数の高いMESFETを提供する。【構成】 ドレイン層3、ソース層4およびチャネル領域5をアニールする際、水素を多量に含みそれほど緻密ではないSiN膜をGaAs基板2の表面に形成して、N2雰囲気中でアニールを行なう。これにより、GaAs基板2の表面の酸素が還元除去される。また、ドレイン電極13、ソース電極14およびゲート電極15を形成する部分だけアニール膜6を開口する。【効果】 基板表面の表面準位を低減し表面空乏層を薄くできる。

Claim (excerpt)：

半絶縁性半導体基板内に素子領域を形成する工程、前記半導体基板上に水素を多量に含んだアニール膜を形成する工程、不活性ガスを用いて前記素子領域をアニールする工程、前記アニール膜を除去する工程、前記半導体基板上にゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程、前記半導体基板、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を保護する保護膜を形成する工程、を備えたMESFETを含む半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/324