固体材料の薄膜形成方法及び該方法の応用

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀正武 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997540595
Publication number (International publication number)：2000510284
Application date： May. 13, 1997
Publication date： Aug. 08, 2000
Summary：

【要約】本発明は、誘電材料、導電材料、半導体材料、非組織半導体材料から選ばれる結晶質又は非結晶質の固体材料の薄膜を形成する方法に関わり、該方法は、上記の固体材料から成る基板を処理するにあたり下記の段階を含むことを特徴とする:- 該基板の本体内の平均イオン侵入深さに近い深さの位置に該基板を二つの領域に分離する複数の微小キャビティから成る層が生じるように、基板の一方の面に、希ガスイオン及び水素イオンから選ばれるイオンによって衝撃を付与するイオン注入段階;- 前記微小キャビティの層を、前記基板の前記二つの領域が自然にあるいは応力を与えることによって分離するのに充分な温度まで加熱する熱処理段階。本方法は、強誘電キャパシタメモリに応用できる。

Claim (excerpt)：

誘電材料、導電材料、半絶縁材料、非組織半導体材料から選ばれる結晶質又は非結晶質の固体材料(103)の薄膜を形成する方法であって、前記固体材料から成る基板(100)を下記の段階を含んだ工程により処理することを特徴とする薄膜形成方法: - 前記基板(100)の本体内の平均イオン侵入深さに近い深さの位置に該基板を二つの領域(103,104)に分離する複数の微小キャビティから成る層(102)が生じるように、基板(100)の一方の面(101)に、希ガスイオン及び水素イオンから選ばれるイオンによって衝撃を付与するイオン注入段階; - 前記微小キャビティの層(102)を、前記基板の前記二つの領域(103,104)が自然にあるいは応力を与えることによって分離するのに充分な温度まで加熱する熱処理段階。

IPC (10)：

H01L 27/108 , C23C 14/48 , C23C 14/58 , H01L 21/265 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 27/10 451 , H01L 27/12 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (7)：

H01L 27/10 651 , C23C 14/48 A , C23C 14/58 A , H01L 27/10 451 , H01L 27/12 B , H01L 21/265 W , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

薄い半導体材料フィルムの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-246594 Applicant：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク

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