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J-GLOBAL ID:200903061589890153
近接場露光用マスク及びその製造方法、露光装置及び方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
藤元 亮輔
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001239663
Publication number (International publication number):2003050457
Application date: Aug. 07, 2001
Publication date: Feb. 21, 2003
Summary:
【要約】【課題】 解像度、スループット及び経済性に優れた露光をもたらす近接場露光用マスク及びその製造方法、露光装置及び方法を提供する。【解決手段】 基板に支持されて露光光を透過するマスク母材と、該マスク母材上に形成されて前記露光光を遮光する遮光膜と、被露光体に密着される突出部を定義する凹凸部と、近接場光を利用して前記被露光体を露光するためのパターンを定義するスリット部とを含む薄膜部を有することを特徴とする近接場露光用マスクを提供する。
Claim (excerpt):
基板に支持されて露光光を透過する薄膜状マスク母材と、該マスク母材上に形成されて前記露光光を遮光する遮光膜と、被露光体に密着される突出部を形成する凹凸部と、近接場光を利用して前記被露光体を露光するためのパターンを形成するスリット部とを有することを特徴とする近接場露光用マスク。
IPC (3):
G03F 1/08
, G03F 1/14
, H01L 21/027
FI (4):
G03F 1/08 G
, G03F 1/14 A
, H01L 21/30 502 D
, H01L 21/30 502 P
F-Term (10):
2H095BA04
, 2H095BA07
, 2H095BC05
, 2H095BC11
, 2H095BC22
, 2H095BC27
, 2H095BC28
, 5F046BA01
, 5F046BA10
, 5F046CB17
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