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J-GLOBAL ID：200903061594985650

バイポーラトランジスタ及びその製造方法

Inventor： 庄司 健一 ,  深見 彰 ,  長野 隆洋
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高田 幸彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991057090
Publication number (International publication number)：1993144834
Application date： Mar. 20, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】【目的】ヘテロ界面に発生したミスフィット転位を無くし、高速動作可能なバイポーラトランジスタを提供する。【構成】図1は本発明の一実施例のバイポーラトランジスタを説明している。(a)は、バイポーラトランジスタの概念図、(b)は、シリコン(Si)中のゲルマニウム(Ge)の濃度分布を、(c)は、接合を形成する前のフラットバンド状態のエネルギーバンド図、(d)は、印加電圧を加える前のエネルギーバンドの状態を、(e)は、印加電圧時のエネルギーバンドの状態をそれぞれ示す。本発明は(c)のように、エミッタ層11の一部からベース層12を通してコレクタ層13の一部までバンドギャップを逐次変化させる構成としている。

Claim (excerpt)：

一導電型半導体からなるコレクタ領域と、コレクタ領域に隣接してコレクタ領域との間にコレクタベース接合を形成する他導電型半導体からなるベース領域と、ベース領域に隣接してベース領域との間にベースエミッタ接合を形成する一導電型半導体からなるエミッタ領域とを具備し、ベースエミッタ接合近傍のエミッタ領域及びベース領域のエネルギーバンドギャップがエミッタ領域からベース領域に向う方向に逐次減少していることを特徴とするバイポーラトランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/165

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-256241
  
• 特開昭58-022733
  
• 特開平2-158178
  
• 特開平3-292740