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J-GLOBAL ID：200903061595046054

半導体装置

Inventor： 荒井 三千男
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999235455
Publication number (International publication number)：2001060691
Application date： Aug. 23, 1999
Publication date： Mar. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】 誤発光や、コントラストの低下を防止し、画素間や製品間で発光輝度のバラツキを生じることなく、しかも動作速度が速い有機EL素子の駆動装置を実現する。【解決手段】 基板101と、この基板101上に形成され、被制御電極が形成されるシリコン層103と、このシリコン層103上に形成された酸化膜層104と、この酸化膜層104上に形成された制御電極層105とを有し、前記制御電極層105上に制御電極全体の応力が引っ張り応力となる応力調整膜106を有する構成の半導体装置とした。

Claim (excerpt)：

基板と、この基板上に形成され、被制御電極が形成されるシリコン層と、このシリコン層上に形成された酸化膜層と、この酸化膜層上に形成された制御電極層とを有し、前記制御電極層上に制御電極全体の応力が引っ張り応力となる応力調整膜を有する半導体装置。

FI (2)：

H01L 29/78 617 J ,  H01L 29/78 619 A

F-Term (25)：

5F110AA05 ,  5F110AA07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ18 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN26 ,  5F110NN55 ,  5F110PP03