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J-GLOBAL ID：200903061602726716

液晶表示装置及びその製造方法

Inventor：
李 京 南

About 李 京 南

, 
朴 ▲ウン▼ 用

About 朴 ▲ウン▼ 用


Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (1)： 小野 由己男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998331082
Publication number (International publication number)：1999242243
Application date： Nov. 20, 1998
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：
【要約】【課題】 液晶表示装置の信頼性の向上。【解決手段】 基板100と、基板上に形成されていてゲート線20及びゲート電極21を含むゲートパターンと、基板上にゲート線と分離されて形成されている共通電極線10及び共通電極線と連結されている共通電極11を含む共通パターンと、ゲートパターンと共通パターンとを覆うゲート絶縁膜30と、ゲート電極に対応するゲート絶縁膜上部に形成されている半導体層51,52と、ゲート絶縁膜上に共通電極と交互に形成されている画素電極65と、半導体層上にゲート電極を中心として両側に形成されているソース電極61及びドレイン電極62と、ゲート絶縁膜上にゲート線と交差して形成されていて画素電極より厚いデータ線60と、画素電極、ソース電極及びドレイン電極、データ線を覆う保護膜70とを含む。
Claim (excerpt)：
基板と、前記基板上に形成されるゲート線及び前記ゲート線と連結されているゲート電極を含むゲートパターンと、前記基板上に前記ゲート線と分離されて形成されている共通電極線及び前記共通電極線と連結されている共通電極を含む共通パターンと、前記ゲートパターンと共通パターンとを覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート電極に対応する前記ゲート絶縁膜上部に形成されている半導体層と、前記ゲート絶縁膜上に前記共通電極と交互に位置するように形成されている画素電極と、前記半導体層上に前記ゲート電極を中心として両側に形成されているソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート線と交差するように、かつ前記画素電極よりも厚く形成されているデータ線と、前記画素電極、ソース電極、ドレイン電極及びデータ線を覆う保護膜と、を含む液晶表示装置。
IPC (3)：
G02F 1/136 500 ,  G09G 3/36 ,  H01L 29/786
FI (3)：
G02F 1/136 500 ,  G09G 3/36 ,  H01L 29/78 612 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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