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J-GLOBAL ID：200903061606747475
パターン形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994055371
Publication number (International publication number)：1995134422
Application date： Mar. 25, 1994
Publication date： May. 23, 1995
Summary：
【要約】【目的】 隣接するマスクパターン間のスペース幅を狭くしつつ、ドライエッチングに適した形状のマスクパターンを形成する。【構成】 下地20上にノボラックレジストにより主パターン22を形成する。次に樹脂成分としてアクリル樹脂を含むと推定されるレジスト(日本ゼオン社製ZEP520)26を、主パターン側壁22a 上に積層する(図2(A) )。次に主パターン22及びレジスト26を加熱して不溶層28を形成する(図2(B) )。不溶層28は主パターン22及びレジスト26の樹脂成分が熱拡散により混合して形成されると考えられる。次にレジスト26をその全面にわたって露光し(図2(C) )、然る後レジスト26を現像して除去する。現像液に対して不溶な主パターン22及び不溶層28より成るマスクパターンを得る。
Claim (excerpt)：
第一のレジストを用いて、下地上に主パターンを形成する工程と、第二のレジストを、前記主パターンの側壁上に積層する工程と、前記主パターン及び第二のレジストを加熱し、当該レジストの現像液に対し不溶性を有する不溶層を、前記主パターンの側壁上に形成する工程と、前記不溶層形成後の第二のレジストを露光及び現像して除去し、主パターン及び不溶層を有して成る複合パターンを形成する工程とを含み、前記第一及び第二のレジストの一方をノボラック樹脂を含むポジ型レジストとすると共に、前記第一及び第二のレジストの他方をアクリル樹脂を含むポジ型レジストとしたことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2)：
G03F 7/26 511
, H01L 21/3065
