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J-GLOBAL ID：200903061619237573

希土類元素のCVD用原料化合物およびこれを用いた成膜法

Inventor： 田▲崎▼ 雄三 ,  吉澤 秀二
Applicant, Patent owner： 同和鉱業株式会社
Agent (1)： 和田 憲治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996058241
Publication number (International publication number)：1997228049
Application date： Feb. 22, 1996
Publication date： Sep. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】 CVD法によって超電導材料などに有用な希土類元素または希土類元素含有物質の薄膜を製造するさいに液体状態で蒸発させることができる原料化合物を得て,操作性よく良品質の該薄膜を製造する。【解決手段】 CVD法により希土類元素または希土類元素含有物質を析出させるのに使用する原料化合物であって,この原料化合物は2,2,6,6-テトラメチル-3,5-オクタンジオンを希土類元素の配位子とした有機希土類元素錯体からなるものである。

Claim (excerpt)：

CVD法により希土類元素または該元素を含有する物質を析出させるのに使用する希土類元素のCVD用原料化合物であって,2,2,6,6-テトラメチル-3,5-オクタンジオンを希土類元素の配位子とした有機希土類元素錯体からなる希土類元素のCVD用原料化合物。

IPC (7)：

C23C 16/18 ,  C01G 1/00 ,  C07F 5/00 ,  C23C 16/40 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/02 ,  C30B 29/16

FI (8)：

C23C 16/18 ,  C01G 1/00 S ,  C07F 5/00 G ,  C07F 5/00 D ,  C23C 16/40 ,  C30B 25/02 Z ,  C30B 29/02 ,  C30B 29/16