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J-GLOBAL ID：200903061620018354

半導体装置の製造方法

Inventor： 佐藤 隆
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992031021
Publication number (International publication number)：1993226244
Application date： Feb. 18, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、高精度の微細パターンを形成することのできる方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明では、半導体基板上に、順次第1乃至第3の絶縁層を形成し、さらにこの上層に感光性物質層を形成し、前記第1乃至第3の絶縁層と感光性物質層との間で多重干渉を起こして感光性物質中に反射してくる第1の光線と、感光性物質と第3の絶縁層との境界部で反射した第2の光線が、180度の位相差を有しかつ振幅がほぼ等しくなるように、前記第1乃至第3の絶縁層の膜厚および材質を制御し、所望のパターンを感光性物質に転写し、パターンを形成するようにしている。

Claim (excerpt)：

半導体基板表面あるいは半導体基板表面に形成された膜の表面に、順次第1乃至第3の絶縁層を形成する絶縁膜積層工程と、さらにこの上層に感光性物質層を形成する感光性物質層形成工程と、露光光源によって前記感光性物質層を選択的に感光せしめマスクパターンを形成する露光工程と前記マスクパターンを用いて前記半導体基板表面あるいは半導体基板表面に形成された膜をエッチングし所望のパターンを形成する工程とを含み、前記第1乃至第3の絶縁層のそれぞれの膜厚および材質を、前記第1乃至第3の絶縁層と感光性物質層との間で多重干渉を起こして感光性物質中に反射してくる第1の光線と、感光性物質と第3の絶縁層との境界部で反射した第2の光線とが、180度の位相差を有しかつ振幅がほぼ等しくなるように、選択したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-244153
  
• 特開昭58-051515
  
• 特開昭63-079322
  
• 特開平2-062078