Pat

J-GLOBAL ID：200903061630695915

半導体装置の製造方法

Inventor： 和田 保 ,  吉川 浩太 ,  長廣 紀雄 ,  脇野 有希子 ,  梁井 健一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995256198
Publication number (International publication number)：1997102481
Application date： Oct. 03, 1995
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 多層構造の層間絶縁膜にコンタクトホールを開口する際に,コンタクトホール側面にオーバハングの生じないようにエッチングする。【解決手段】 1)多層膜上に開口部を有するレジストマスクを形成し,該レジストマスクをエッチングマスクにして該多層膜の内の上層膜をエッチングする工程と,次いで,該レジストマスク及び該多層膜の内の下層膜の両方をエッチングでき且つレジストマスクのエッチングレートが該下層膜に等しいかあるいは該下層膜より大きいエッチングレートのエッチャントを用いて該下層膜をエッチングする工程と, 次いで, 該上層膜を再エッチングする工程を有する。

Claim (excerpt)：

多層膜上に開口部を有するレジストマスクを形成し,該レジストマスクをエッチングマスクにして該多層膜の内の上層膜をエッチングする工程と,次いで,該レジストマスク及び該多層膜の内の下層膜の両方をエッチングでき且つレジストマスクのエッチングレートが該下層膜に等しいかあるいは該下層膜より大きいエッチングレートのエッチャントを用いて該下層膜をエッチングする工程と,次いで, 該上層膜を再エッチングする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7)：

H01L 21/306 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (6)：

H01L 21/306 S ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/302 A ,  H01L 21/88 C ,  H01L 21/90 C ,  H01L 29/78 616 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-170052
  
• 特開平2-028923
  
• 特開平4-170052
  
• 特開平2-028923