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J-GLOBAL ID：200903061630859551

インバータ装置

Inventor： 山下 剛
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 石黒 健二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995172576
Publication number (International publication number)：1997023664
Application date： Jul. 07, 1995
Publication date： Jan. 21, 1997
Summary：

【要約】【目的】 直流電源の電圧が変動する場合にもスイッチング損失を低減する。【構成】 MOS入力型の半導体スイッチング素子2aのゲートを制御するトランジスタ13、14にMOSFET29、30をそれぞれゲート抵抗19、20を介して直列に接続し、インバータ装置の直流電源の電圧を電圧検出回路24で検出し、所定電圧より高い場合には、MOSFET29、30をオフにし、低い場合には、オンにする。直流電源の電圧が高い場合には、半導体スイッチング素子2aのゲートは、抵抗44、19、21の充電抵抗により充電され、抵抗21、20、45の放電抵抗により放電されるため、充放電速度が遅い。直流電源の電圧が低い場合には、ゲートは、抵抗19、21の充電抵抗により充電され、抵抗21、20の放電抵抗により放電されるため、充放電速度が速く、スイッチング損失が小さい。

Claim (excerpt)：

直流電源と、該直流電源に対して直列接続された複数組の電圧駆動型の半導体スイッチング素子と、該半導体スイッチング素子の各出力端に逆並列接続した帰還ダイオードと、前記各半導体スイッチング素子をオン・オフ制御する制御回路とを有し、前記半導体スイッチング素子の各直列接続点に結線される負荷を通電制御するインバータ装置において、前記制御回路に、前記直流電源の電圧を検出する電圧検出手段と、該電圧検出手段に検出された前記直流電源の電圧に応じて前記半導体スイッチング素子のスイッチングスピードを可変するスイッチングスピード変更手段とを設けたことを特徴とするインバータ装置。

IPC (5)：

H02M 7/537 ,  H02J 1/00 306 ,  H02J 1/00 ,  H02M 1/08 ,  H02P 7/63 302

FI (5)：

H02M 7/537 B ,  H02J 1/00 306 C ,  H02J 1/00 306 L ,  H02M 1/08 A ,  H02P 7/63 302 C