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J-GLOBAL ID：200903061633699660

導電性多結晶シリコン膜の製造方法

Inventor： 磯村 雅夫 ,  原田 康樹
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992243272
Publication number (International publication number)：1994097069
Application date： Sep. 11, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 エネルギービームを用いた半導体膜の多結晶化技術において、高品質で且つ高導電率の導電性多結晶シリコン膜の製造方法を提供することにある。【構成】 本発明の特徴とするところは、200〜400°Cの加熱温度下、0.5〜10原子%の導電型決定不純物を含有し膜厚が500Å以下の非晶質シリコン膜に対し、エネルギービームを照射することにある。

Claim (excerpt)：

200〜400°Cの加熱温度下、0.5〜10原子%の導電型決定不純物を含有し膜厚が500Å以下の非晶質シリコン膜に対し、エネルギービームを照射することを特徴とする導電性多結晶シリコン膜の製造方法。