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J-GLOBAL ID：200903061644225059
プラズマCVD成膜方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991173613
Publication number (International publication number)：1993025648
Application date： Jul. 15, 1991
Publication date： Feb. 02, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明はプラズマCVD法による薄膜の製造方法に関するものであり、均一な薄膜を高速で工業的に製造することを目的としている。【構成】 焼結合金を用いた中空の電極12内部から非重合性ガスを吹き出させ、放電管8内でプラズマ放電させると、電極12の表面に不純物が付着しない。その結果小さな放電跡がテ-プ上にできず、薄膜中への不純物の混入もなく高性能な膜が得られる。
Claim (excerpt)：
真空槽内に導入されたガスをプラズマ化して成膜するプラズマCVD成膜装置において、電極が多孔性部材により構成されており、非重合性ガスを多孔性電極より吹き出しつつ、重合性ガスを別の導入口より導入し、前記多孔性電極に通電し、薄膜を形成することを特徴とするプラズマCVD成膜方法。
IPC (3)：
C23C 16/50
, C23C 16/26
, C23C 16/54
