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J-GLOBAL ID：200903061646556109

半導体発光素子の製造方法

Inventor： 藤本 英俊 ,  上本 勉
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991248175
Publication number (International publication number)：1993090639
Application date： Sep. 27, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】本発明は、従来の素子より外部量子効率の高い炭化珪素発光素子を供給することを目的とする。【構成】n型炭化珪素11上に形成したAl-Si膜21を熱処理することによって、発光層であるn- 型炭化珪素層13を形成し、さらにAl-Si21膜上に蒸着したAl膜22を熱処理することによってp型炭化珪素層14を形成する。またn型炭化珪素11上に蒸着したAl膜22およびAlよりも原子半径の大きいIII族金属膜を熱処理することによって、発光層であるn- 型炭化珪素層13およびp型炭化珪素層を同時に形成する。【効果】各導電型炭化珪素層間に絶縁層が生じないため、外部量子効率の高い発光素子を形成することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板表面に発光中心となる元素を含む拡散源を形成する工程と、前記拡散源から前記発光中心となる元素を前記半導体基板中に熱拡散させる工程とを備え、前記半導体基板の構成元素の少なくとも一つで且つ前記発光中心となる元素の拡散を制御する元素を前記拡散源に含ませることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/225