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J-GLOBAL ID：200903061682201597

交換結合膜および磁気抵抗効果素子

Inventor： 橋本 進 ,  上口 裕三 ,  岩崎 仁志 ,  佐橋 政司 ,  澤邊 厚仁
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994026775
Publication number (International publication number)：1994314617
Application date： Feb. 24, 1994
Publication date： Nov. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 良好な交換結合性を有し、かつ耐食性に優れる交換結合膜を提供する。【構成】 N100-zMnz(Nは Cu,Ru,Rh,Re,Ag,Au,Os,Irのうちから選ばれた少なくとも1種、24≦z≦75)で表され、かつ結晶構造が正方晶系である反強磁性体膜と、少なくとも一部が前述の反強磁性体膜と積層形成された強磁性体膜とを備える。

Claim (excerpt)：

組成がN100-zMnz(Nは Cu,Ru,Rh,Re,Ag,Au,Os,Irのうちから選ばれた少なくとも1種、24≦z≦75)で表され、かつ結晶構造が正方晶系である反強磁性体膜と、前記反強磁性体膜と積層形成された強磁性体膜とを備えることを特徴とする交換結合膜。

IPC (5)：

H01F 10/12 ,  C23C 14/06 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-211106
  
• 磁気抵抗効果型磁気ヘツドおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-224346   Applicant：株式会社日立製作所