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J-GLOBAL ID:200903061684402778

光電変換素子およびその製造方法ならびに電子装置およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 森 幸一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003393433
Publication number (International publication number):2005158379
Application date: Nov. 25, 2003
Publication date: Jun. 16, 2005
Summary:
【課題】 高い短絡電流密度および光電変換効率を得ることができる太陽電池等の光電変換素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 色素増感半導体電極2と対極3との間に電解質層5を有する光電変換素子、例えば色素増感湿式太陽電池において、対極3の電解質層5に面する側に、表面粗さRa が30nm〜10μmの光散乱反射層4を形成する。光散乱反射層4としては、例えば、すりガラス基板上にPtをスパッタしたものを用いる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
色素増感半導体電極と対極との間に電解質層を有する光電変換素子において、 上記対極の上記電解質層に面する側に光散乱反射層を有する ことを特徴とする光電変換素子。
IPC (2):
H01M14/00 ,  H01L31/04
FI (2):
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
F-Term (26):
5F051AA14 ,  5F051FA01 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051FA17 ,  5F051FA19 ,  5F051FA23 ,  5F051FA24 ,  5F051GA03 ,  5F051GA06 ,  5F051GA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC09 ,  5H032CC16 ,  5H032EE02 ,  5H032EE07 ,  5H032EE16 ,  5H032HH00 ,  5H032HH04 ,  5H032HH07 ,  5H032HH08
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (8)
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