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J-GLOBAL ID：200903061696976052

波長制御型面発光半導体レーザ

Inventor： 内山 誠治 ,  柏 享
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993135985
Publication number (International publication number)：1994350190
Application date： Jun. 07, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 波長制御範囲の広い面発光型半導体レーザを提供する。【構成】 多重量子井戸層とバルク半導体層の繰り返し構造により構成される多重量子井戸DBR層12を分布反射板として用い、制御電圧を印加して多重量子井戸DBR層の反射率を変化させることにより、発振波長を任意に変化させることができる面発光型半導体レーザを提供する。【効果】 従来の2種のバルク半導体を組み合わせたDBR分布反射板による発振波長制御よりも、広範囲の制御が可能となる。

Claim (excerpt)：

バンドギャップの狭い井戸層とそれよりもバンドギャップの広いバリア層の繰り返し構造よりなる多重量子井戸層と、この多重量子井戸層よりも屈折率の低いバルク層の繰り返し構造よりなる多重量子井戸DBR層を活性層の少なくとも一方の側に配置したことを特徴とする波長制御型面発光半導体レーザ。