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J-GLOBAL ID：200903061699608755

圧電薄膜共振子

Inventor： 花嶋 直之 ,  津々見 修司 ,  米澤 政
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 重野 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997003748
Publication number (International publication number)：1998200369
Application date： Jan. 13, 1997
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 電気機械結合係数が大きく、共振子、フィルタ等に適用した場合の帯域幅及び発振周波数範囲が広い圧電薄膜共振子であって、下部電極を露出させる必要がなく、製造が容易な圧電薄膜共振子を提供する。【解決手段】 絶縁膜1Aを有するSi基板1上に、下部電極2、PZT薄膜3及び2個の上部電極4A,4Bを有する圧電薄膜共振子。上部電極4A,4Bの間隔はPZT薄膜3の膜厚よりも大きい。【効果】 圧電体膜が電気機械結合係数の大きいPZTで形成されているため、広帯域なフィルタや発振周波数範囲の広い共振器を実現できる。上部電極間に電界を印加することにより圧電体膜を厚み方向に分極処理することができる。従って、下部電極を端子電極とする必要がなく、このため下部電極を露出させるための煩雑な工程が不要となる。

Claim (excerpt)：

絶縁膜を有するSi基板と、該Si基板の該絶縁膜上に形成された下部電極と、該下部電極上に形成されたPZT薄膜と、該PZT薄膜上に形成された2個の上部電極とを備えてなる圧電薄膜共振子であって、該2個の上部電極同士の間の間隔が、該PZT薄膜の膜厚よりも大きいことを特徴とする圧電薄膜共振子。

IPC (3)：

H03H 9/17 ,  H01L 41/24 ,  H03H 3/02

FI (3)：

H03H 9/17 F ,  H03H 3/02 B ,  H01L 41/22 A