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J-GLOBAL ID：200903061710941046

磁気記録媒体および磁気記憶装置

Inventor：
郷家 隆志

About 郷家 隆志


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005168899
Publication number (International publication number)：2006344293
Application date： Jun. 08, 2005
Publication date： Dec. 21, 2006
Summary：
【課題】 記録層の薄膜化による高記録密度化が可能な磁気記録媒体および磁気記憶装置を提供する。【解決手段】 CrまたはCr合金からなる下地層11と、下地層11上に形成された記録層12からなり、記録層12は第1磁性層13と第2磁性層15との間にRuB合金層14を設けた構成とする。第1磁性層13はCoCrまたはCoCr合金からなり、第2磁性層15はCoCrPtまたはCoCrPt合金からなり、第1磁性層13と第2磁性層はRuB合金層14を介して反強磁性的に交換結合する。RuB合金層14は、hcp構造のRuB、またはRuBを主成分とするRuB合金からなると共に、第1磁性層13の表面にエピタキシャル成長し、第2磁性層15をエピタキシャル成長させる。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
基板と、 前記基板上に形成されたCrまたはCr合金からなる下地層と、 前記下地層上に形成されたCoCrまたはCoCr合金からなる第1の磁性層と、 前記第1の磁性層上に形成されたRuB合金層と、 前記RuB合金層上に形成され、CoCrPt、またはCoCrPt合金からなり、前記第1の磁性層と反強磁性的に交換結合してなる第2の磁性層とを備え、 前記RuB合金層は、hcp構造のRuB、またはRuBを主成分とするRuB合金からなると共に、第1の磁性層の表面にエピタキシャル成長してなり、 前記第2の磁性層は、RuB合金層の表面にエピタキシャル成長してなる磁気記録媒体。
IPC (4)：
G11B 5/65 ,  G11B 5/64 ,  G11B 5/66 ,  G11B 5/738
FI (4)：
G11B5/65 ,  G11B5/64 ,  G11B5/66 ,  G11B5/738
F-Term (7)：
5D006BB01 ,  5D006BB02 ,  5D006BB07 ,  5D006BB08 ,  5D006CA01 ,  5D006CA05 ,  5D006CA06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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