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J-GLOBAL ID:200903061717881022

半導体装置およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小池 隆彌
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997292110
Publication number (International publication number):1999125831
Application date: Oct. 24, 1997
Publication date: May. 11, 1999
Summary:
【要約】【課題】 薄膜トランジスタなどやこれらの半導体素子を配置した半導体装置において、絶縁膜を介して上下間で電極を接続する際に、絶縁膜に開口されたコンタクトホールに起因する段差によって発生する電極の断線を抑制し、電極間の安定した接続を得る。【解決手段】 下部電極と、該下部電極上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成されるとともに、該絶縁膜に開口されたコンタクトホールを介して該下部電極と接続される上部電極とを有する半導体装置において、前記下部電極に接続される上部電極上を含む前記コンタクトホール領域に、導電性物質を充填する。
Claim (excerpt):
下部電極と、該下部電極上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成されるとともに、該絶縁膜に開口されたコンタクトホールを介して該下部電極と接続される上部電極とを有する半導体装置において、前記下部電極に接続される上部電極上を含む前記コンタクトホール領域には、導電性物質が充填されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3):
G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 338
FI (3):
G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 338
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
  • 特開平3-126921
  • 液晶表示装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-090661   Applicant:ソニー株式会社
  • 液晶表示装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-025501   Applicant:ソニー株式会社
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Cited by examiner (5)
  • 特開平3-126921
  • 液晶表示装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-090661   Applicant:ソニー株式会社
  • 液晶表示装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-025501   Applicant:ソニー株式会社
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