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J-GLOBAL ID：200903061727401142

マグネトロンスパツタ装置

Inventor： 折付 良二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991338015
Publication number (International publication number)：1993148642
Application date： Nov. 28, 1991
Publication date： Jun. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】ターゲットの局部的消耗を抑制し、基板移動なしに均一な成膜を行う。【構成】基板7と、基板に所定の間隔で対向配置したターゲット1の背面に該ターゲットの表面に沿って磁界パターンを形成する磁界発生手段3を備え、ガスプラズマを前記ターゲット表面に閉じ込めると共に、前記ターゲットの表面に形成される磁界のパターンを所定方向に順送する。【効果】ターゲット表面の磁界の方向とその大きさが変化してターゲット面上のエロージョンエリアが面内を移動し、基板に均一な成膜を行う。

Claim (excerpt)：

被成膜基板と、前記被成膜基板に所定の間隔で対向配置したターゲットと、前記ターゲットの前記被成膜基板とは反対側に配置されて前記ターゲットの表面に沿って磁界を形成し、ガスプラズマを前記ターゲット表面に閉じ込めると共に、前記ターゲットの表面に形成される磁界のパターンを所定方向に順送する磁界発生手段とを備え、前記被成膜基板に前記ガスプラズマを作用させることより前記被成膜基板の表面に所定の薄膜を生成することを特徴とするマグネトロンスパッタ装置。

IPC (5)：

C23C 14/35 ,  C30B 25/08 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/18