多結晶半導体膜の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996051877
Publication number (International publication number)：1997246183
Application date： Mar. 08, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】結晶粒径が大きくキャリアの移動度が高い、薄膜トランジスタの製造に好適な多結晶半導体膜を得ることができる多結晶半導体膜の製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板4上にアモルファスシリコン膜3を形成した後、レーザ光1を照射してアモルファスシリコンを多結晶化する。このとき、レーザ光1は、ビーム中央部のエネルギー密度がアモルファスシリコンの微結晶化しきい値(約360mJ/cm2 )よりも若干高く、ビームプロファイル(ビーム幅方向のエネルギー分布)が台形状のものを使用する。

Claim (excerpt)：

基板上にアモルファス半導体膜を形成する工程と、ビーム中央部のエネルギー密度が前記アモルファス半導体膜の微結晶化しきい値以上に設定され、且つビーム幅方向の端部側ほどエネルギーが低くなる傾斜部を有するビームプロファイルのレーザ光を前記アモルファス半導体膜に照射してアモルファス状態の半導体を多結晶化する工程とを有することを特徴とする多結晶半導体膜の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 Z , H01L 27/12 R , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

多結晶半導体膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-185661 Applicant：三洋電機株式会社
レーザーアニール方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-068670 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-102311

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