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J-GLOBAL ID：200903061737549350
半導体レーザ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宮越 典明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991031398
Publication number (International publication number)：1994013694
Application date： Feb. 01, 1991
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：
【要約】【目的】 活性領域端面の温度上昇を低減した高出力動作が可能なAlGaInP系半導体レ-ザを提供すること。【構成】 共振器端面近傍に電流非注入領域を設けた半導体レ-ザ。即ち、半導体基板上に形成したダブルヘテロ接合構造部が(AlXGa1-X)0.5In0.5P系からなる半導体レ-ザにおいて、少なくとも活性層が第1導電型の第1クラッド層と第2導電型のストライプ状メサ形状を有した第2クラッド層とで挟まれ、上記ストライプ状メサ側部及び外部に第1導電型で活性層より屈折率の大きい半導体層を具備し、共振器端部近傍を除く第2グラッド層ストライプ状メサ上面のみに第2導電型のGa0.5In0.5P層を具備してなる半導体レ-ザ。【効果】 共振器両端面近傍の第2導電型のGa0.5In0.5P層を除去することにより、電流非注入領域が形成され、レ-ザ発振の際、端面近傍の発熱が低減でき、高出力動作が可能となり、通常、3〜5mWの定格出力であるのに対して約3倍の10〜15mWの高出力動作が実現できる効果が生ずる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成したダブルヘテロ接合構造部が(AlXGa1-X)0.5In0.5P系からなる半導体レ-ザにおいて、少なくとも活性層が第1導電型の第1クラッド層と第2導電型のストライプ状メサ形状を有した第2クラッド層とで挟まれ、上記ストライプ状メサ側部及び外部に第1導電型で活性層より屈折率の大きい半導体層を具備し、共振器端部近傍を除く第2グラッド層ストライプ状メサ上面のみに第2導電型のGa0.5In0.5P層を具備してなることを特徴とする半導体レ-ザ。
Patent cited by the Patent：
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