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J-GLOBAL ID：200903061739378987

荷電ビーム処理方法及びその装置並びにフォトマスクの加工方法及びその装置

Inventor： 濱村 有一 ,  嶋瀬 朗 ,  東 淳三 ,  水村 通伸 ,  古泉 裕弘
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995170591
Publication number (International publication number)：1997022110
Application date： Jul. 06, 1995
Publication date： Jan. 21, 1997
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は、位相シフトレチクル等の被処理物への荷電ビームによる処理を、高精度に実行できるようにした荷電ビーム処理方法及びその装置並びにフォトマスクの加工方法及びその装置を提供することにある。【構成】試料(位相シフトレチクル)7上の集束イオンビーム3の照射領域に光13を照射し、試料7を透過した光の位相を検出器14により逐次モニタし、荷電粒子検出器4からの情報も考慮しながら集束イオンビーム3の処理条件をホストコンピュータ17により決定し、コントローラ16により制御を行う。

Claim (excerpt)：

被処理物上の処理領域に光を照射して前記被処理物からの透過光の分布を検出し、この検出された透過光の分布に基づいて前記被処理物上の処理領域への荷電ビームの照射を制御して荷電ビームに基づく処理を行うことを特徴とする荷電ビーム処理方法。

IPC (4)：

G03F 1/08 ,  G21K 5/04 ,  H01J 37/305 ,  H01L 21/027

FI (5)：

G03F 1/08 T ,  G21K 5/04 M ,  H01J 37/305 A ,  H01L 21/30 541 M ,  H01L 21/30 551