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J-GLOBAL ID：200903061745350717

圧電性半導体及びその製造方法

Inventor： 浅井 裕次 ,  今井 修
Applicant, Patent owner： 日本碍子株式会社
Agent (1)： 渡邉 一平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992239653
Publication number (International publication number)：1994090036
Application date： Sep. 08, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：

【要約】【目的】 音響電気変換素子として用いるに適当な電気伝導度等の特性を有し、製造コストの低減した圧電性半導体を提供する。【構成】 ZnOを主成分とする単結晶から成る圧電性半導体である。Al等の3価金属をドープされており、電気伝導度が10-3〜10-61/Ω・cmである。ZnO焼結体及びZnO種結晶を用い、水熱合成法によりZnO単結晶を育成する。このZnO単結晶にAl(OH)3溶液等を付着・拡散処理してAl等をドープし、これにより、電気伝導度を制御する。

Claim (excerpt)：

ZnOを主成分とする単結晶から成る圧電性半導体であって、この半導体は3価金属を5〜120ppmドープされており、電気伝導度が10-3〜10-61/Ω・cmであることを特徴とする圧電性半導体。

IPC (5)：

H01L 41/08 ,  C30B 7/10 ,  C30B 29/16 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24

FI (3)：

H01L 41/08 Z ,  H01L 41/18 101 A ,  H01L 41/22 Z