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J-GLOBAL ID：200903061751909220

半導体装置の表面処理液および半導体装置のウエット処理方法

Inventor： 大西 照人
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岡田 和秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996051478
Publication number (International publication number)：1997246255
Application date： Mar. 08, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板表面に銅を析出させることなく、自然酸化膜の除去および再形成の抑制を行う。【解決手段】 硫酸と弗化アンモニウムとを含有した溶液で半導体装置の表面を処理することで、銅を析出させることなく、自然酸化膜の除去と自然酸化膜の再形成の抑制を行う。

Claim (excerpt)：

硫酸と弗化アンモニウムとを含有してなることを特徴とする半導体装置の表面処理液。

IPC (3)：

H01L 21/308 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/306

FI (3)：

H01L 21/308 B ,  H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/306 B